龙腾半导体EMI优化系列超结MOSFET成功量产

　　超结MOSFET相对于平面MOSFET，拥有更低的比导通电阻（Rsp），在相同BV及Rdson条件下，超结MOSFET的芯片面积更小，成本更低，同时栅电荷也更小，有效的降低了开关损耗。但是开关速度的加快会使得在一些电路拓扑中，超结MOSFET的电磁干扰（EMI）大于平面MOSFET，影响了超结MOSFET替代平面VDMOSFET的进程。

　　龙腾半导体有限公司发明了一种创新的芯片结构，通过调整Qgd（表1）显著改善了超结MOSFET应用的EMI性能，使电源的辐射EMI幅值下降了8-10dB（图1），有效提高了产品的适用性，加速了高压超结MOSFET替代普通平面MOSFET的进程。

　　另一方面，随着超结MOSFET设计与工艺的进步，比导通电阻越来越小，芯片面积和栅电荷也变得越来越小，开关速度在不断加快，对产品的应用拓扑电路设计有了更高的要求。龙腾半导体有限公司EMI优化系列产品的推出，增加了产品的易用性，降低了终端工程师的设计难度，更利于产品的推广。

　　虽然EMI系列产品相比普通超结MOSFET，Qgd略有增加，效率略有降低，如图2所示，EMI优化系列超结MOSFET相比普通超结MOSFET，效率下降0.1%，但对于EMI优化系列所应用的小功率场合，千分之一的效率差对温升几乎没有影响，目前EMI系列产品已经量产。

　　综上，龙腾半导体有限公司推出的EMI优化系列超结MOSFET，通过调整Qgd显著改善了器件在应用中的EMI性能，使电源的辐射EMI幅值下降了8-10dB，同时，对效率及温升的影响均不大。同时， EMI性能的改善显著增加了产品的易用性和适用性，也加速了超结MOSFET替代平面MOSFET的进程，为国家节能减排做出了贡献。

表1 龙腾EMI优化系列超结与普通超结MOSFET Qg对比

图1 龙腾EMI优化系列超结与普通超结MOSFET辐射EMI对比

图2 龙腾EMI优化系列超结与普通超结MOSFET效率对比 

供稿单位：龙腾半导体有限公司（西安龙腾新能源科技发展有限公司）